M29F200FB55N3F2 vs M29F400FB55N3F2 So sánh

So sánh chi tiết song song của M29F200FB55N3F2 bằng Micron Technology và M29F400FB55N3F2 bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 ✓ Hoạt động
Micron Technology
M29F400FB55N3F2 M29F400FB55N3F2 - 4Mbit 55ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29F400FB55N3F2 - 4Mbit 55ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29F400FB55N3F2 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số M29F200FB55N3F2 M29F400FB55N3F2
Thương hiệu Micron Technology Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ Parallel NOR Flash NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 4 Mbit (4194 kbit)
Tổ chức 256K x 8 bit / 128K x 16 bit 256K x 16 / 512K x 8
Number of Words 128 K (x16 mode) —
Bits per Word 16 bits —
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Access Time 55 ns 55 ns
Boot Block Architecture Bottom Boot Block (FB) —
Programming Embedded byte/word program algorithm —
Erase Embedded block erase controller —
Nhiệt độ hoạt động -40C to +125C -40C to +125C
Hộp 48-TSOP I 48-TSOP I
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
Giao diện Parallel Parallel
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant (lead-free build per F2 suffix)
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Điện áp cung cấp — 5 V
Boot Block — Bottom boot block
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Standard Package Quantity — 1500 units (Tape & Reel)
Active/Standby Current — [DATA_NEEDED: active and standby current]
Erase/Program Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]
VIO Range — [DATA_NEEDED: I/O voltage range]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá