M29W800FB70ZA3SE vs M29W800FB70N3E তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29W800FB70ZA3SE নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29W800FB70N3E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
M29W800FB70ZA3SE M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE Obsolete
Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার M29W800FB70ZA3SE M29W800FB70N3E
ব্র্যান্ড Micron Technology Micron Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস Obsolete সক্রিয়
মেমরি টাইপ NOR Flash, Parallel NOR Flash
মেমরি সাইজ 8 Mbit —
সংগঠন 1 M x 8 / 512 K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Access Time 70 ns 70 ns
সাপ্লাই ভোল্টেজ 3 V / 3.3 V (2.7 V to 3.6 V class) —
Technology SLC NOR —
Boot Block Architecture Bottom boot block (FB) —
ইন্টারফেস Parallel, address/data bus Parallel
প্যাকেজ 48-TFBGA (6 x 8 mm) 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q100 automotive —
Packaging Tray —
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Active Read Current [DATA_NEEDED: ICC read] —
Standby Current [DATA_NEEDED: ICC standby] —
Moisture Sensitivity Level [DATA_NEEDED: MSL] —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS compliant (plastic TSOP-48)
Density — 8 Mbit (8388608 bits)
ডেটা বাস প্রস্থ — x8/x16 (BYTE# selectable)
Supply Voltage (VCC) — up to 3.6 V for program, erase and read
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
Memory Blocks — 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration)
পিন সংখ্যা — 48
Product Longevity Program — No
FBGA Code — N/A
Chipset Validation — N/A

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট