M29W800FB70ZA3SE vs M29W800FB70N3E तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W800FB70ZA3SE द्वारा Micron Technology और M29W800FB70N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29W800FB70ZA3SE M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE Obsolete
Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29W800FB70ZA3SE M29W800FB70N3E
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति Obsolete सक्रिय
मेमोरी प्रकार NOR Flash, Parallel NOR Flash
मेमोरी आकार 8 Mbit —
संगठन 1 M x 8 / 512 K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Access Time 70 ns 70 ns
सप्लाई वोल्टेज 3 V / 3.3 V (2.7 V to 3.6 V class) —
Technology SLC NOR —
Boot Block Architecture Bottom boot block (FB) —
इंटरफ़ेस Parallel, address/data bus Parallel
पैकेज 48-TFBGA (6 x 8 mm) 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q100 automotive —
Packaging Tray —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Active Read Current [DATA_NEEDED: ICC read] —
Standby Current [DATA_NEEDED: ICC standby] —
Moisture Sensitivity Level [DATA_NEEDED: MSL] —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS compliant (plastic TSOP-48)
Density — 8 Mbit (8388608 bits)
डेटा बस चौड़ाई — x8/x16 (BYTE# selectable)
Supply Voltage (VCC) — up to 3.6 V for program, erase and read
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
Memory Blocks — 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration)
पिन काउंट — 48
Product Longevity Program — No
FBGA Code — N/A
Chipset Validation — N/A

डेटाशीट और संसाधन

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