M29W800FB70ZA3SE vs M29W800FB70N3E Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W800FB70ZA3SE tarafından Micron Technology ve M29W800FB70N3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Micron Technology
M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron
M29W800FB70ZA3SE Obsolete
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | M29W800FB70ZA3SE | M29W800FB70N3E |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Obsolete | Aktif |
| Bellek Türü | NOR Flash, Parallel | NOR Flash |
| Bellek Boyutu | 8 Mbit | — |
| Organizasyon | 1 M x 8 / 512 K x 16 | 512K x 16 / 1M x 8 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Besleme Gerilimi | 3 V / 3.3 V (2.7 V to 3.6 V class) | — |
| Technology | SLC NOR | — |
| Boot Block Architecture | Bottom boot block (FB) | — |
| Arayüz | Parallel, address/data bus | Parallel |
| Paket | 48-TFBGA (6 x 8 mm) | 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q100 automotive | — |
| Packaging | Tray | — |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: ICC read] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: ICC standby] | — |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL] | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | RoHS compliant (plastic TSOP-48) |
| Density | — | 8 Mbit (8388608 bits) |
| Veri Bus Genişliği | — | x8/x16 (BYTE# selectable) |
| Supply Voltage (VCC) | — | up to 3.6 V for program, erase and read |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word (typical) |
| Memory Blocks | — | 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) |
| Pin Sayısı | — | 48 |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | N/A |
| Chipset Validation | — | N/A |