M29W800FB70ZA3SE vs M29W800FB70N3E موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M29W800FB70ZA3SE بذریعہ Micron Technology اور M29W800FB70N3E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
M29W800FB70ZA3SE M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE Obsolete
Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر M29W800FB70ZA3SE M29W800FB70N3E
برانڈ Micron Technology Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت Obsolete فعال
میموری ٹائپ NOR Flash, Parallel NOR Flash
میموری سائز 8 Mbit —
تنظیم 1 M x 8 / 512 K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Access Time 70 ns 70 ns
سپلائی وولٹیج 3 V / 3.3 V (2.7 V to 3.6 V class) —
Technology SLC NOR —
Boot Block Architecture Bottom boot block (FB) —
انٹرفیس Parallel, address/data bus Parallel
پیکیج 48-TFBGA (6 x 8 mm) 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q100 automotive —
Packaging Tray —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Active Read Current [DATA_NEEDED: ICC read] —
Standby Current [DATA_NEEDED: ICC standby] —
Moisture Sensitivity Level [DATA_NEEDED: MSL] —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS compliant (plastic TSOP-48)
Density — 8 Mbit (8388608 bits)
ڈیٹا بس چوڑائی — x8/x16 (BYTE# selectable)
Supply Voltage (VCC) — up to 3.6 V for program, erase and read
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
Memory Blocks — 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration)
پن کی تعداد — 48
Product Longevity Program — No
FBGA Code — N/A
Chipset Validation — N/A

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں