M29W800FB70ZA3SE vs M29W800FB70N3E مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29W800FB70ZA3SE توسط Micron Technology و M29W800FB70N3E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29W800FB70ZA3SE M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE Obsolete
Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29W800FB70ZA3SE M29W800FB70N3E
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر Obsolete فعال
نوع حافظه NOR Flash, Parallel NOR Flash
اندازه حافظه 8 Mbit —
سازمان 1 M x 8 / 512 K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Access Time 70 ns 70 ns
ولتاژ تغذیه 3 V / 3.3 V (2.7 V to 3.6 V class) —
Technology SLC NOR —
Boot Block Architecture Bottom boot block (FB) —
رابط Parallel, address/data bus Parallel
بسته‌بندی 48-TFBGA (6 x 8 mm) 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q100 automotive —
Packaging Tray —
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Active Read Current [DATA_NEEDED: ICC read] —
Standby Current [DATA_NEEDED: ICC standby] —
Moisture Sensitivity Level [DATA_NEEDED: MSL] —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS compliant (plastic TSOP-48)
Density — 8 Mbit (8388608 bits)
عرض گذرگاه داده — x8/x16 (BYTE# selectable)
Supply Voltage (VCC) — up to 3.6 V for program, erase and read
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
Memory Blocks — 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration)
تعداد پایه — 48
Product Longevity Program — No
FBGA Code — N/A
Chipset Validation — N/A

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت