M29W800FB70ZA3SE vs M29W800FB70N3E השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של M29W800FB70ZA3SE מאת Micron Technology ו M29W800FB70N3E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron
M29W800FB70ZA3SE Obsolete
השוואת מפרטים
| פרמטר | M29W800FB70ZA3SE | M29W800FB70N3E |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | Obsolete | פעיל |
| סוג זיכרון | NOR Flash, Parallel | NOR Flash |
| גודל זיכרון | 8 Mbit | — |
| ארגון | 1 M x 8 / 512 K x 16 | 512K x 16 / 1M x 8 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| מתח אספקה | 3 V / 3.3 V (2.7 V to 3.6 V class) | — |
| Technology | SLC NOR | — |
| Boot Block Architecture | Bottom boot block (FB) | — |
| ממשק | Parallel, address/data bus | Parallel |
| מארז | 48-TFBGA (6 x 8 mm) | 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q100 automotive | — |
| Packaging | Tray | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: ICC read] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: ICC standby] | — |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL] | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | RoHS compliant (plastic TSOP-48) |
| Density | — | 8 Mbit (8388608 bits) |
| רוחב אפיק נתונים | — | x8/x16 (BYTE# selectable) |
| Supply Voltage (VCC) | — | up to 3.6 V for program, erase and read |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word (typical) |
| Memory Blocks | — | 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) |
| מספר פינים | — | 48 |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | N/A |
| Chipset Validation | — | N/A |