MRF18060BLSR3 vs MRF18030BLSR3 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MRF18060BLSR3 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors ও MRF18030BLSR3 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
NXP Semiconductors
MRF18060BLSR3 - 60W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz | NXP
MRF18060BLSR3 ⚠ শেষ কিনার সময়NXP Semiconductors
MRF18030BLSR3 - 30W 1930-1990 MHz RF Power MOSFET LDMOS | NXP
MRF18030BLSR3 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MRF18060BLSR3 | MRF18030BLSR3 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | শেষবার কেনার সুযোগ | সক্রিয় |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | Lateral N-Channel Enhancement-Mode MOSFET | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS) |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale/Motorola) | Analog Devices / NXP Semiconductors (formerly Freescale) |
| Frequency Range | 1930 MHz to 1990 MHz (specified band), 1800-2000 MHz (operational) | — |
| Output Power (Pout) | 60 W CW | 30 W (CW or pulsed, in-band) |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | 26 V | 26 V typical operating |
| Test Voltage (VDD) | 26 V | — |
| Power Gain (Gps) | 13 dB (typical) | — |
| Drain Efficiency | [DATA_NEEDED: drain efficiency percentage] | [DATA_NEEDED: typical drain efficiency %] |
| Maximum Power Dissipation (Absolute) | 180 W | — |
| Maximum Drain Current | [DATA_NEEDED: maximum DC drain current] | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Storage Temperature Range | [DATA_NEEDED: storage temperature range] | — |
| প্যাকেজ / কেস | NI-780S (CASE 465-06, Style 1), ceramic surface-mount | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-channel | Single, common-source RF power transistor |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS compliance] | — |
| Part Number | — | MRF18030BLSR3 |
| Technology | — | LDMOS, laterally diffused metal-oxide-semiconductor |
| Operating Frequency Range | — | 1.8 GHz to 2 GHz (specified 1930-1990 MHz) |
| Target Application Band | — | GSM / GSM-EDGE / DCS-1900 / PCS-1900 |
| Power Gain | — | 14 dB typical at 2 GHz |
| Maximum Power Dissipation (Abs) | — | 83.3 W |
| Operating Mode | — | Enhancement Mode |
| Drain Current (Id) at test condition | — | 250 mA (quiescent / small-signal reference) |
| প্যাকেজ | — | NI-400S (CASE 465E-04, Style 1), ceramic surface mount |
| Lead-Free / RoHS | — | Per NXP product page (verify with current data) |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature range] |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | [DATA_NEEDED: max junction temperature C] |