MRF9030MBR1 vs MRF9030LR1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MRF9030MBR1 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors ও MRF9030LR1 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
NXP Semiconductors
MRF9030MBR1 - 30W, 945MHz RF Power MOSFET | NXP / Freescale
MRF9030MBR1 ✓ সক্রিয়NXP Semiconductors
MRF9030LR1 - 945MHz 30W 26V RF Power MOSFET | NXP Semiconductors
MRF9030LR1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MRF9030MBR1 | MRF9030LR1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale / Motorola) | — |
| Part Family | RF Sub-Micron MOSFET Line | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET | N-Channel Lateral MOSFET (RF Power) |
| Configuration | Single, common-source | Single transistor, common-source |
| Typical Output Power | 30 W at 945 MHz | — |
| Operating Frequency Range | DC to 1000 MHz | — |
| Power Gain (typical) | 20 dB | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) Rating | 26 V | — |
| Typical Bias Current | 250 mA | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount (flanged ceramic) | Chassis / heatsink mount (flanged ceramic) |
| প্যাকেজ | TO-272-2 (ceramic, 2-lead flanged) | NI-360 (NI-360L) ceramic flange, 3-pin (Drain / Gate / Source) |
| Maximum Dissipation (per Partstack) | 139 W | — |
| আর্দ্রতা সংবেদনশীলতার মাত্রা (MSL) | 3 | — |
| Application | Broadband RF power amplifier / large-signal common-source amplifier | — |
| Polarity / Channel Mode | N-Channel, enhancement-mode | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status from manufacturer page] | Compliant (per current NXP product page) |
| Technology | — | Enhancement-Mode Lateral RF Sub-Micron MOSFET |
| Operating Frequency | — | Up to 1000 MHz (1.0 GHz) |
| Test Frequency | — | 945 MHz |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 68 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 250 mA (datasheet typical) |
| Output Power (Pout) | — | 30 W (CW / pulsed RF) |
| Power Gain (Gp) | — | 19 dB (typical at 945 MHz) |
| Drain Efficiency | — | [DATA_NEEDED: typical drain efficiency %] |
| Supply Voltage (Vdd) | — | 26 V (typical base-station bias) |
| Maximum Power Dissipation | — | 92 W (absolute, with proper heatsinking) |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | -40C to +150C (junction, derated) |
| Storage Temperature | — | -65C to +150C |
| Lead Finish | — | Gold-plated (per NI-360 case 360B-05) |
| MSL লেভেল | — | Not applicable (non-SMD ceramic flange) |