MRF9030MBR1 vs MRF9030LR1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF9030MBR1 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF9030LR1 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

NXP Semiconductors
MRF9030MBR1 MRF9030MBR1 - 30W, 945MHz RF Power MOSFET | NXP / Freescale

MRF9030MBR1 - 30W, 945MHz RF Power MOSFET | NXP / Freescale

MRF9030MBR1 ✓ فعال
NXP Semiconductors
MRF9030LR1 MRF9030LR1 - 945MHz 30W 26V RF Power MOSFET | NXP Semiconductors

MRF9030LR1 - 945MHz 30W 26V RF Power MOSFET | NXP Semiconductors

MRF9030LR1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MRF9030MBR1 MRF9030LR1
برانڈ NXP Semiconductors NXP Semiconductors
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale / Motorola) —
Part Family RF Sub-Micron MOSFET Line —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET N-Channel Lateral MOSFET (RF Power)
Configuration Single, common-source Single transistor, common-source
Typical Output Power 30 W at 945 MHz —
Operating Frequency Range DC to 1000 MHz —
Power Gain (typical) 20 dB —
Drain-Source Voltage (Vds) Rating 26 V —
Typical Bias Current 250 mA —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (flanged ceramic) Chassis / heatsink mount (flanged ceramic)
پیکیج TO-272-2 (ceramic, 2-lead flanged) NI-360 (NI-360L) ceramic flange, 3-pin (Drain / Gate / Source)
Maximum Dissipation (per Partstack) 139 W —
نمی حساسیت کی سطح (MSL) 3 —
Application Broadband RF power amplifier / large-signal common-source amplifier —
Polarity / Channel Mode N-Channel, enhancement-mode —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS compliance status from manufacturer page] Compliant (per current NXP product page)
Technology — Enhancement-Mode Lateral RF Sub-Micron MOSFET
Operating Frequency — Up to 1000 MHz (1.0 GHz)
Test Frequency — 945 MHz
Drain-Source Voltage (Vdss) — 68 V
Continuous Drain Current (Id) — 250 mA (datasheet typical)
Output Power (Pout) — 30 W (CW / pulsed RF)
Power Gain (Gp) — 19 dB (typical at 945 MHz)
Drain Efficiency — [DATA_NEEDED: typical drain efficiency %]
Supply Voltage (Vdd) — 26 V (typical base-station bias)
Maximum Power Dissipation — 92 W (absolute, with proper heatsinking)
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40C to +150C (junction, derated)
Storage Temperature — -65C to +150C
Lead Finish — Gold-plated (per NI-360 case 360B-05)
MSL لیول — Not applicable (non-SMD ceramic flange)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں