MT40A1G8SA-062E vs H5AN8G8NDJR-XNC তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A1G8SA-062E নির্দিষ্ট Micron Technology ও H5AN8G8NDJR-XNC নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MT40A1G8SA-062E | H5AN8G8NDJR-XNC |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | SK hynix |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| সংগঠন | 1G x 8 | — |
| ডেটা রেট | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1.6 GHz (I/O clock) |
| Access Time (CAS Latency) | CL22 at 3200 MT/s | — |
| Row Access Time | 19 ns | — |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV, +250 mV | — |
| Internal Banks | 16 banks (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Refresh | 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) | — |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| Burst Length | BL8, BC4 (burst chop) | — |
| প্যাকেজ | 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| বৈশিষ্ট্য | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ | — |
| মেমরি সাইজ | — | 8 Gbit (1 G x 8) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to +95°C |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| ইন্টারফেস | — | Parallel |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Packaging | — | Tray |
| Status | — | Active |