MT40A1G8SA-062E vs H5AN8G8NDJR-XNC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT40A1G8SA-062E بذریعہ Micron Technology اور H5AN8G8NDJR-XNC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
MT40A1G8SA-062E MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E ✓ فعال
SK hynix
H5AN8G8NDJR-XNC H5AN8G8NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NDJR-XNC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MT40A1G8SA-062E H5AN8G8NDJR-XNC
برانڈ Micron Technology SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
تنظیم 1G x 8 —
ڈیٹا ریٹ 3200 MT/s (DDR4-3200) 3200 MT/s (DDR4-3200)
Clock Frequency 1.6 GHz 1.6 GHz (I/O clock)
Access Time (CAS Latency) CL22 at 3200 MT/s —
Row Access Time 19 ns —
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP 2.5 V, -125 mV, +250 mV —
Internal Banks 16 banks (4 bank groups x 4 banks) —
Refresh 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) —
I/O Type 1.2 V pseudo open-drain —
Burst Length BL8, BC4 (burst chop) —
پیکیج 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
خصوصیات Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ —
میموری سائز — 8 Gbit (1 G x 8)
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Operating Temperature (TC) — 0°C to +95°C
Memory Organization — 1G x 8
انٹرفیس — Parallel
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Packaging — Tray
Status — Active

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں