MT40A1G8SA-062E vs H5AN8G8NDJR-XNC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A1G8SA-062E توسط Micron Technology و H5AN8G8NDJR-XNC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | MT40A1G8SA-062E | H5AN8G8NDJR-XNC |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| سازمان | 1G x 8 | — |
| نرخ داده | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1.6 GHz (I/O clock) |
| Access Time (CAS Latency) | CL22 at 3200 MT/s | — |
| Row Access Time | 19 ns | — |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV, +250 mV | — |
| Internal Banks | 16 banks (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Refresh | 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) | — |
| دمای کاری | 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) | — |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| Burst Length | BL8, BC4 (burst chop) | — |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| ویژگی‌ها | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ | — |
| اندازه حافظه | — | 8 Gbit (1 G x 8) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to +95°C |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| رابط | — | Parallel |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Packaging | — | Tray |
| Status | — | Active |