MT40A512M8SA-062E vs NT5AD512M16C4-JRU তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A512M8SA-062E নির্দিষ্ট Micron Technology ও NT5AD512M16C4-JRU নির্দিষ্ট Nanya Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
MT40A512M8SA-062E MT40A512M8SA-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x8, 3200 | Micron

MT40A512M8SA-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x8, 3200 | Micron

MT40A512M8SA-062E ✓ সক্রিয়
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার MT40A512M8SA-062E NT5AD512M16C4-JRU
ব্র্যান্ড Micron Technology Nanya Technology
ক্যাটাগরি DRAM DRAM
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ইউনিট মূল্য (USD) — $83.00
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
মেমরি সাইজ 4 Gbit —
সংগঠন 512M x 8 512M x 16
Clock Frequency 1.6 GHz 1600 MHz (3200 Mbps data rate)
ডেটা রেট 3200 MT/s (DDR4-3200 class) —
Access Time 13.75 ns —
Write Cycle Time 15 ns —
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP Supply 2.5 V (-125 mV / +250 mV) —
ইন্টারফেস Parallel, 1.2 V pseudo open-drain I/O CMOS, DDR4
VREFDQ On-die internal adjustable generation —
প্যাকেজ 78-FBGA (7.5 x 11 mm), Z10B 96-ball FBGA (PBGA96)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (TC max) up to 95 degrees C —
Package Flow :F (lead-free / RoHS) —
মাউন্টিং স্টাইল SMD/SMT —
Density — 8 Gbit
CAS Latency (CL) — 22 at 1600 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
অপারেটিং তাপমাত্রা — -40 C to +95 C (industrial grade)
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
RoHS স্ট্যাটাস — Green Product (per Nanya product page)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট