MT40A512M8SA-062E vs NT5AD512M16C4-JRU So sánh

So sánh chi tiết song song của MT40A512M8SA-062E bằng Micron Technology và NT5AD512M16C4-JRU bằng Nanya Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
MT40A512M8SA-062E MT40A512M8SA-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x8, 3200 | Micron

MT40A512M8SA-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x8, 3200 | Micron

MT40A512M8SA-062E ✓ Hoạt động
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số MT40A512M8SA-062E NT5AD512M16C4-JRU
Thương hiệu Micron Technology Nanya Technology
Danh mục DRAM DRAM
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $83,00
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 4 Gbit —
Tổ chức 512M x 8 512M x 16
Clock Frequency 1.6 GHz 1600 MHz (3200 Mbps data rate)
Tốc độ dữ liệu 3200 MT/s (DDR4-3200 class) —
Access Time 13.75 ns —
Write Cycle Time 15 ns —
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP Supply 2.5 V (-125 mV / +250 mV) —
Giao diện Parallel, 1.2 V pseudo open-drain I/O CMOS, DDR4
VREFDQ On-die internal adjustable generation —
Hộp 78-FBGA (7.5 x 11 mm), Z10B 96-ball FBGA (PBGA96)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (TC max) up to 95 degrees C —
Package Flow :F (lead-free / RoHS) —
Kiểu lắp đặt SMD/SMT —
Density — 8 Gbit
CAS Latency (CL) — 22 at 1600 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Nhiệt độ hoạt động — -40 C to +95 C (industrial grade)
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Trạng thái RoHS — Green Product (per Nanya product page)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá