RMLV0816BGSD-4S2 vs RMLV0816BGSD-4S2#AC0 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা RMLV0816BGSD-4S2 নির্দিষ্ট Renesas Electronics ও RMLV0816BGSD-4S2#AC0 নির্দিষ্ট Renesas Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Renesas Electronics
RMLV0816BGSD-4S2 RMLV0816BGSD-4S2 - 8Mb Low-Power SRAM 512Kx16 45ns TSOP | Renesas

RMLV0816BGSD-4S2 - 8Mb Low-Power SRAM 512Kx16 45ns TSOP | Renesas

RMLV0816BGSD-4S2 ✓ সক্রিয়
Renesas Electronics
RMLV0816BGSD-4S2#AC0 RMLV0816BGSD-4S2#AC0 - 8Mb Advanced LPSRAM | Renesas | TSOP-II 52

RMLV0816BGSD-4S2#AC0 - 8Mb Advanced LPSRAM | Renesas | TSOP-II 52

RMLV0816BGSD-4S2#AC0 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার RMLV0816BGSD-4S2 RMLV0816BGSD-4S2#AC0
ব্র্যান্ড Renesas Electronics Renesas Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ Static RAM (SRAM), Asynchronous Volatile SRAM (LPSRAM)
Memory Subcategory Low-Power SRAM (LPSRAM) —
Memory Density 8 Mbit —
সংগঠন 524,288-word x 16-bit (512K x 16) 524,288-word × 16-bit (configurable to 1M × 8)
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.4 V to 3.6 V
Access Time 45 ns 45 ns
ইন্টারফেস Parallel (asynchronous) —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -40 C to +85 C (industrial) -40 °C to +85 °C
প্যাকেজ 52-pin TSOP-II —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Output Enable (/OE) Yes —
Write Enable (/WE) Yes —
Chip Select (/CS) Yes —
Byte Control /LB and /UB (lower/upper byte enable) UB# (upper byte), LB# (lower byte)
I/O Compatibility TTL-compatible —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Active Current [DATA_NEEDED: operating current] —
Process Technology Renesas Advanced LPSRAM CMOS Renesas Advanced LPSRAM CMOS
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল 3 (per JEDEC J-STD-020, typical for TSOP-II) MSL3 (per JEDEC J-STD-020, where stated in the datasheet)
মেমরি সাইজ — 8 Mbit
Bus Width — Parallel, 8-bit or 16-bit
ইন্টারফেস টাইপ — Parallel (asynchronous)
Package Type — 52-TSOP II
আউটপুট কনফিগারেশন — Three-state (with OE# control)
Write Control — WE# (active-low)
Chip Enable — CE# (active-low)
Data Retention Voltage (typical) — 2.0 V [DATA_NEEDED: confirm from datasheet retention section]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট