1ED3124MC12HXUMA1 vs 1EDN7146UXTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1ED3124MC12HXUMA1 von Infineon und 1EDN7146UXTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1ED3124MC12HXUMA1 1EDN7146UXTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,45 $0,82
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) —
Number of Drivers 1 —
Anzahl der Ausgänge 1 —
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
Anstiegszeit 15 ns [DATA_NEEDED: typical rise time ns]
Abfallzeit 30 ns [DATA_NEEDED: typical fall time ns]
Betriebstemperatur -40 C to +125 C —
Gehäuse PG-DSO-8 (DSO-8) PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
RoHS-Status Compliant Compliant
Driver Type — Single-channel high-side TDI gate driver
Maximum Blocking Voltage — 200 V
Input Configuration — Truly differential (TDI)
Output Current (Source / Sink) — 1.5 A / 2.5 A
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range V]
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C
Target Transistor — GaN SG HEMT or power MOSFET
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Topology Support — Half-bridge, low-side, high-side

Datenblätter & Ressourcen

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