1ED3124MC12HXUMA1 vs 1EDN7146UXTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 1ED3124MC12HXUMA1 par Infineon et 1EDN7146UXTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 1ED3124MC12HXUMA1 | 1EDN7146UXTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,45 | $0,82 |
| Channel Type | Single-channel | — |
| Configuration | High-side / Low-side (non-inverting) | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| Nombre de sorties | 1 | — |
| Peak Source Current | 13.5 A | — |
| Peak Sink Current | 14 A | — |
| Isolation Technology | Magnetic coupling (coreless transformer) | — |
| Isolation Voltage (RMS) | 5.7 kV | — |
| Transient Overvoltage | 8000 Vpk | — |
| Supply Voltage (VCC2) | 10.5 V to 35 V | — |
| Supply Current (Max) | 1.1 mA | — |
| Propagation Delay (Typ) | 90 ns | — |
| Temps de montée | 15 ns | [DATA_NEEDED: typical rise time ns] |
| Temps de descente | 30 ns | [DATA_NEEDED: typical fall time ns] |
| Température de fonctionnement | -40 C to +125 C | — |
| Boîtier | PG-DSO-8 (DSO-8) | PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Protections | UVLO, Short-Circuit (DESAT) | — |
| Target Devices | IGBT, SiC MOSFET | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Driver Type | — | Single-channel high-side TDI gate driver |
| Maximum Blocking Voltage | — | 200 V |
| Input Configuration | — | Truly differential (TDI) |
| Output Current (Source / Sink) | — | 1.5 A / 2.5 A |
| Propagation Delay | — | [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns] |
| Supply Voltage (VCC) | — | [DATA_NEEDED: VCC range V] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40C to +125C |
| Target Transistor | — | GaN SG HEMT or power MOSFET |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Topology Support | — | Half-bridge, low-side, high-side |