1ED3124MC12HXUMA1 vs 1EDN7146UXTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 1ED3124MC12HXUMA1 제조: Infineon 및 1EDN7146UXTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 1ED3124MC12HXUMA1 1EDN7146UXTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.45 $0.82
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) —
Number of Drivers 1 —
출력 수 1 —
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
상승 시간 15 ns [DATA_NEEDED: typical rise time ns]
하강 시간 30 ns [DATA_NEEDED: typical fall time ns]
동작 온도 -40 C to +125 C —
패키지 PG-DSO-8 (DSO-8) PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Driver Type — Single-channel high-side TDI gate driver
Maximum Blocking Voltage — 200 V
Input Configuration — Truly differential (TDI)
Output Current (Source / Sink) — 1.5 A / 2.5 A
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range V]
동작 온도 범위 — -40C to +125C
Target Transistor — GaN SG HEMT or power MOSFET
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Topology Support — Half-bridge, low-side, high-side

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