1ED3124MC12HXUMA1 vs 1EDN7146UXTSA1 比較

詳細な並列比較: 1ED3124MC12HXUMA1 メーカー: Infineon および 1EDN7146UXTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 ✓ 生産中
Infineon
1EDN7146UXTSA1 1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 1ED3124MC12HXUMA1 1EDN7146UXTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.45 $0.82
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) —
Number of Drivers 1 —
出力数 1 —
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
立ち上がり時間 15 ns [DATA_NEEDED: typical rise time ns]
立ち下がり時間 30 ns [DATA_NEEDED: typical fall time ns]
動作温度 -40 C to +125 C —
パッケージ PG-DSO-8 (DSO-8) PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Driver Type — Single-channel high-side TDI gate driver
Maximum Blocking Voltage — 200 V
Input Configuration — Truly differential (TDI)
Output Current (Source / Sink) — 1.5 A / 2.5 A
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range V]
動作温度範囲 — -40C to +125C
Target Transistor — GaN SG HEMT or power MOSFET
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Topology Support — Half-bridge, low-side, high-side

データシート&リソース

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