1ED3124MC12HXUMA1 vs 1EDN7146UXTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1ED3124MC12HXUMA1 por Infineon e 1EDN7146UXTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1ED3124MC12HXUMA1 1EDN7146UXTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,45 $0,82
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) —
Number of Drivers 1 —
Número de saídas 1 —
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
Tempo de subida 15 ns [DATA_NEEDED: typical rise time ns]
Tempo de descida 30 ns [DATA_NEEDED: typical fall time ns]
Temperatura de operação -40 C to +125 C —
Encapsulamento PG-DSO-8 (DSO-8) PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
Status RoHS Compliant Compliant
Driver Type — Single-channel high-side TDI gate driver
Maximum Blocking Voltage — 200 V
Input Configuration — Truly differential (TDI)
Output Current (Source / Sink) — 1.5 A / 2.5 A
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range V]
Faixa de temperatura de operação — -40C to +125C
Target Transistor — GaN SG HEMT or power MOSFET
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Topology Support — Half-bridge, low-side, high-side

Fichas técnicas e recursos

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