1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7511BXUSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7126GXTMA1 von Infineon und 1EDN7511BXUSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7126GXTMA1 1EDN7511BXUSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,29 $0,95
Funktion Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting Inverting, Non-Inverting
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A 4 A
Peak Sink Current 1.5 A 8 A
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C -40 C to +150 C
Gehäuse PG-VSON-10-4 PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23)
Montageart Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) TTL / CMOS
Driver Type — Low-Side, Single Channel
Number of Drivers — 1
Anzahl der Ausgänge — 1
Anstiegszeit — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Abfallzeit — 4.5 ns
Propagation Delay — ±5 ns (matched)
Betriebsversorgungsspannung — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (integrated)
Output Stage — True low-impedance complementary rail-to-rail
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel available)

Datenblätter & Ressourcen

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