1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7511BXUSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7126GXTMA1 par Infineon et 1EDN7511BXUSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN7126GXTMA1 1EDN7511BXUSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,29 $0,95
Fonction Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting Inverting, Non-Inverting
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A 4 A
Peak Sink Current 1.5 A 8 A
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C -40 C to +150 C
Boîtier PG-VSON-10-4 PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) TTL / CMOS
Driver Type — Low-Side, Single Channel
Number of Drivers — 1
Nombre de sorties — 1
Temps de montée — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Temps de descente — 4.5 ns
Propagation Delay — ±5 ns (matched)
Tension d'alimentation de fonctionnement — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (integrated)
Output Stage — True low-impedance complementary rail-to-rail
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel available)

Fiches techniques et ressources

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