1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7511BXUSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDN7126GXTMA1 por Infineon y 1EDN7511BXUSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDN7126GXTMA1 1EDN7511BXUSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,29 $0,95
Función Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting Inverting, Non-Inverting
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A 4 A
Peak Sink Current 1.5 A 8 A
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40 C to +150 C
Encapsulado PG-VSON-10-4 PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) TTL / CMOS
Driver Type — Low-Side, Single Channel
Number of Drivers — 1
Número de salidas — 1
Tiempo de subida — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Tiempo de bajada — 4.5 ns
Propagation Delay — ±5 ns (matched)
Tensión de alimentación de funcionamiento — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (integrated)
Output Stage — True low-impedance complementary rail-to-rail
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel available)

Hojas de datos y recursos

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