1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7511BXUSA1 比較

詳細な並列比較: 1EDN7126GXTMA1 メーカー: Infineon および 1EDN7511BXUSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ 1EDN7126GXTMA1 1EDN7511BXUSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.29 $0.95
機能 Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting Inverting, Non-Inverting
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A 4 A
Peak Sink Current 1.5 A 8 A
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
動作温度範囲 -40C to +125C -40 C to +150 C
パッケージ PG-VSON-10-4 PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) TTL / CMOS
Driver Type — Low-Side, Single Channel
Number of Drivers — 1
出力数 — 1
立ち上がり時間 — [DATA_NEEDED: rise time ns]
立ち下がり時間 — 4.5 ns
Propagation Delay — ±5 ns (matched)
動作電源電圧 — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (integrated)
Output Stage — True low-impedance complementary rail-to-rail
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel available)

データシート&リソース

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