1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7511BXUSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDN7126GXTMA1 por Infineon e 1EDN7511BXUSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDN7126GXTMA1 1EDN7511BXUSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,29 $0,95
Função Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting Inverting, Non-Inverting
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A 4 A
Peak Sink Current 1.5 A 8 A
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C -40 C to +150 C
Encapsulamento PG-VSON-10-4 PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Status RoHS Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) TTL / CMOS
Driver Type — Low-Side, Single Channel
Number of Drivers — 1
Número de saídas — 1
Tempo de subida — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Tempo de descida — 4.5 ns
Propagation Delay — ±5 ns (matched)
Tensão de alimentação de operação — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (integrated)
Output Stage — True low-impedance complementary rail-to-rail
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel available)

Fichas técnicas e recursos

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