1EDN7136UXTSA1 vs 1EDN7136GXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7136UXTSA1 von Infineon und 1EDN7136GXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7136UXTSA1 1EDN7136GXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,74 $1,02
Funktion High-side / Low-side gate driver IC —
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
Anzahl der Ausgänge 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A 4 A
Peak Sink Current 2 A 8 A
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +150 C —
Gehäuse TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Halogenfrei Yes (per Infineon product family convention) —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Product Type — Low-side gate driver IC
Configuration — Single channel, non-inverting
Target Switch — GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET
Input Logic — TTL/CMOS compatible
UVLO — Yes (VDD under-voltage lockout)
Propagation Delay — Sub-nanosecond class
Betriebstemperatur — -40 C to +125 C
Lead-free — Yes
Input Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD range V]
Output Voltage (GaN gate) — Approximately 6 V (regulated)

Datenblätter & Ressourcen

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