1EDN7136UXTSA1 vs 1EDN7136GXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDN7136UXTSA1 por Infineon y 1EDN7136GXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDN7136UXTSA1 1EDN7136GXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,74 $1,02
Función High-side / Low-side gate driver IC —
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
Número de salidas 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A 4 A
Peak Sink Current 2 A 8 A
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +150 C —
Encapsulado TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Sin halógenos Yes (per Infineon product family convention) —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Product Type — Low-side gate driver IC
Configuration — Single channel, non-inverting
Target Switch — GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET
Input Logic — TTL/CMOS compatible
UVLO — Yes (VDD under-voltage lockout)
Propagation Delay — Sub-nanosecond class
Temperatura de funcionamiento — -40 C to +125 C
Lead-free — Yes
Input Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD range V]
Output Voltage (GaN gate) — Approximately 6 V (regulated)

Hojas de datos y recursos

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