1EDN7136UXTSA1 vs 1EDN7136GXTMA1 比較

詳細な並列比較: 1EDN7136UXTSA1 メーカー: Infineon および 1EDN7136GXTMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ 1EDN7136UXTSA1 1EDN7136GXTMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.74 $1.02
機能 High-side / Low-side gate driver IC —
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
出力数 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A 4 A
Peak Sink Current 2 A 8 A
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
動作温度範囲 -40 C to +150 C —
パッケージ TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー Yes (per Infineon product family convention) —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Product Type — Low-side gate driver IC
Configuration — Single channel, non-inverting
Target Switch — GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET
Input Logic — TTL/CMOS compatible
UVLO — Yes (VDD under-voltage lockout)
Propagation Delay — Sub-nanosecond class
動作温度 — -40 C to +125 C
Lead-free — Yes
Input Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD range V]
Output Voltage (GaN gate) — Approximately 6 V (regulated)

データシート&リソース

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