1EDN7136UXTSA1 vs 1EDN7136GXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDN7136UXTSA1 por Infineon e 1EDN7136GXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDN7136UXTSA1 1EDN7136GXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,74 $1,02
Função High-side / Low-side gate driver IC —
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
Número de saídas 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A 4 A
Peak Sink Current 2 A 8 A
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Faixa de temperatura de operação -40 C to +150 C —
Encapsulamento TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Livre de halogênio Yes (per Infineon product family convention) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Product Type — Low-side gate driver IC
Configuration — Single channel, non-inverting
Target Switch — GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET
Input Logic — TTL/CMOS compatible
UVLO — Yes (VDD under-voltage lockout)
Propagation Delay — Sub-nanosecond class
Temperatura de operação — -40 C to +125 C
Lead-free — Yes
Input Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD range V]
Output Voltage (GaN gate) — Approximately 6 V (regulated)

Fichas técnicas e recursos

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