1EDN7136UXTSA1 vs 1EDN7136GXTMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 1EDN7136UXTSA1 от Infineon и 1EDN7136GXTMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
1EDN7136UXTSA1 1EDN7136UXTSA1 - 200V High-Side TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7136UXTSA1 - 200V High-Side TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7136UXTSA1 ✓ Активен
Infineon
1EDN7136GXTMA1 1EDN7136GXTMA1 - 4A Single-Channel GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7136GXTMA1 - 4A Single-Channel GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7136GXTMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 1EDN7136UXTSA1 1EDN7136GXTMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,74 $1,02
Функция High-side / Low-side gate driver IC —
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
Количество выходов 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A 4 A
Peak Sink Current 2 A 8 A
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Диапазон рабочих температур -40 C to +150 C —
Корпус TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Без галогенов Yes (per Infineon product family convention) —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Product Type — Low-side gate driver IC
Configuration — Single channel, non-inverting
Target Switch — GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET
Input Logic — TTL/CMOS compatible
UVLO — Yes (VDD under-voltage lockout)
Propagation Delay — Sub-nanosecond class
Рабочая температура — -40 C to +125 C
Lead-free — Yes
Input Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD range V]
Output Voltage (GaN gate) — Approximately 6 V (regulated)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену