1EDN7511BXUSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7511BXUSA1 von Infineon und 1EDN7126GXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7511BXUSA1 1EDN7126GXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,95 $0,29
Driver Type Low-Side, Single Channel —
Number of Drivers 1 —
Anzahl der Ausgänge 1 —
Configuration Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
Peak Source Current 4 A 1.5 A
Peak Sink Current 8 A 1.5 A
Anstiegszeit [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Abfallzeit 4.5 ns —
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
Betriebsversorgungsspannung [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +150 C -40C to +125C
Gehäuse PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-VSON-10-4
Montageart Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Funktion — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Reach — Compliant

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