1EDN7511BXUSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7511BXUSA1 par Infineon et 1EDN7126GXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN7511BXUSA1 1EDN7126GXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,95 $0,29
Driver Type Low-Side, Single Channel —
Number of Drivers 1 —
Nombre de sorties 1 —
Configuration Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
Peak Source Current 4 A 1.5 A
Peak Sink Current 8 A 1.5 A
Temps de montée [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Temps de descente 4.5 ns —
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
Tension d'alimentation de fonctionnement [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +150 C -40C to +125C
Boîtier PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-VSON-10-4
Type de montage Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Fonction — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Reach — Compliant

Fiches techniques et ressources

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