1EDN7511BXUSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDN7511BXUSA1 por Infineon y 1EDN7126GXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDN7511BXUSA1 1EDN7126GXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,95 $0,29
Driver Type Low-Side, Single Channel —
Number of Drivers 1 —
Número de salidas 1 —
Configuration Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
Peak Source Current 4 A 1.5 A
Peak Sink Current 8 A 1.5 A
Tiempo de subida [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Tiempo de bajada 4.5 ns —
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
Tensión de alimentación de funcionamiento [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +150 C -40C to +125C
Encapsulado PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-VSON-10-4
Tipo de montaje Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Función — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Reach — Compliant

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