1EDN7511BXUSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDN7511BXUSA1 por Infineon e 1EDN7126GXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDN7511BXUSA1 1EDN7126GXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,95 $0,29
Driver Type Low-Side, Single Channel —
Number of Drivers 1 —
Número de saídas 1 —
Configuration Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
Peak Source Current 4 A 1.5 A
Peak Sink Current 8 A 1.5 A
Tempo de subida [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Tempo de descida 4.5 ns —
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
Tensão de alimentação de operação [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
Faixa de temperatura de operação -40 C to +150 C -40C to +125C
Encapsulamento PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-VSON-10-4
Tipo de montagem Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Função — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Reach — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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