1EDN7511BXUSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 1EDN7511BXUSA1 제조: Infineon 및 1EDN7126GXTMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 1EDN7511BXUSA1 1EDN7126GXTMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.95 $0.29
Driver Type Low-Side, Single Channel —
Number of Drivers 1 —
출력 수 1 —
Configuration Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
Peak Source Current 4 A 1.5 A
Peak Sink Current 8 A 1.5 A
상승 시간 [DATA_NEEDED: rise time ns] —
하강 시간 4.5 ns —
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
동작 공급 전압 [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
동작 온도 범위 -40 C to +150 C -40C to +125C
패키지 PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-VSON-10-4
실장 유형 Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
기능 — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Reach — Compliant

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청