2ED2106S06FXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2ED2106S06FXUMA1 von Infineon und 1ED3124MC12HXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2ED2106S06FXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $1,45
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) High-side / Low-side (non-inverting)
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns —
Anzahl der Ausgänge 2 (1 high-side, 1 low-side) 1
Number of Drivers 2 1
Anzahl der Pins 8 —
Gehäuse PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8 (DSO-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Ausgangstyp Half-Bridge, Non-Inverting —
Channel Type — Single-channel
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
Anstiegszeit — 15 ns
Abfallzeit — 30 ns
Betriebstemperatur — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET
RoHS-Status — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

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