2ED2106S06FXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2ED2106S06FXUMA1 por Infineon e 1ED3124MC12HXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2ED2106S06FXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $1,45
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) High-side / Low-side (non-inverting)
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns —
Número de saídas 2 (1 high-side, 1 low-side) 1
Number of Drivers 2 1
Número de pinos 8 —
Encapsulamento PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8 (DSO-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Tipo de saída Half-Bridge, Non-Inverting —
Channel Type — Single-channel
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
Tempo de subida — 15 ns
Tempo de descida — 30 ns
Temperatura de operação — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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