2ED2106S06FXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2ED2106S06FXUMA1 제조: Infineon 및 1ED3124MC12HXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 2ED2106S06FXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.78 $1.45
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) High-side / Low-side (non-inverting)
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns —
출력 수 2 (1 high-side, 1 low-side) 1
Number of Drivers 2 1
핀 수 8 —
패키지 PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8 (DSO-8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
동작 온도 범위 -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
출력 유형 Half-Bridge, Non-Inverting —
Channel Type — Single-channel
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
상승 시간 — 15 ns
하강 시간 — 30 ns
동작 온도 — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET
RoHS 상태 — Compliant

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