2ED2106S06FXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2ED2106S06FXUMA1 par Infineon et 1ED3124MC12HXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2ED2106S06FXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $1,45
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) High-side / Low-side (non-inverting)
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns —
Nombre de sorties 2 (1 high-side, 1 low-side) 1
Number of Drivers 2 1
Nombre de broches 8 —
Boîtier PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8 (DSO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Type de sortie Half-Bridge, Non-Inverting —
Channel Type — Single-channel
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
Temps de montée — 15 ns
Temps de descente — 30 ns
Température de fonctionnement — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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