2ED2106S06FXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2ED2106S06FXUMA1 por Infineon y 1ED3124MC12HXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2ED2106S06FXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $1,45
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) High-side / Low-side (non-inverting)
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns —
Número de salidas 2 (1 high-side, 1 low-side) 1
Number of Drivers 2 1
Número de pines 8 —
Encapsulado PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8 (DSO-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Tipo de salida Half-Bridge, Non-Inverting —
Channel Type — Single-channel
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
Tiempo de subida — 15 ns
Tiempo de bajada — 30 ns
Temperatura de funcionamiento — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET
Estado RoHS — Compliant

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización