2ED2106S06FXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 2ED2106S06FXUMA1 от Infineon и 1ED3124MC12HXUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ Активен
Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 2ED2106S06FXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,78 $1,45
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) High-side / Low-side (non-inverting)
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns —
Количество выходов 2 (1 high-side, 1 low-side) 1
Number of Drivers 2 1
Количество выводов 8 —
Корпус PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8 (DSO-8)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Диапазон рабочих температур -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Тип выхода Half-Bridge, Non-Inverting —
Channel Type — Single-channel
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
Время нарастания — 15 ns
Время спада — 30 ns
Рабочая температура — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET
Статус RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену