2ED2106S06FXUMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2ED2106S06FXUMA1 von Infineon und 2ED2108S06FXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2ED2106S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $0,30
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Anzahl der Ausgänge 2 (1 high-side, 1 low-side) 2 (high-side + low-side)
Number of Drivers 2 1
Anzahl der Pins 8 —
Gehäuse PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Ausgangstyp Half-Bridge, Non-Inverting —
Driver Configuration — Half-Bridge
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB)
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]
Betriebstemperatur — -40 C to +125 C
MSL-Level — 1
RoHS-Status — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

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