2ED2106S06FXUMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 比較

詳細な並列比較: 2ED2106S06FXUMA1 メーカー: Infineon および 2ED2108S06FXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ 生産中
Infineon
2ED2108S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2108S06FXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2108S06FXUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2ED2106S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.78 $0.30
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
出力数 2 (1 high-side, 1 low-side) 2 (high-side + low-side)
Number of Drivers 2 1
ピン数 8 —
パッケージ PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
動作温度範囲 -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
出力タイプ Half-Bridge, Non-Inverting —
Driver Configuration — Half-Bridge
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB)
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]
動作温度 — -40 C to +125 C
MSLレベル — 1
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

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