2ED2106S06FXUMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2ED2106S06FXUMA1 por Infineon e 2ED2108S06FXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2ED2106S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $0,30
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Número de saídas 2 (1 high-side, 1 low-side) 2 (high-side + low-side)
Number of Drivers 2 1
Número de pinos 8 —
Encapsulamento PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Tipo de saída Half-Bridge, Non-Inverting —
Driver Configuration — Half-Bridge
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB)
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]
Temperatura de operação — -40 C to +125 C
Nível MSL — 1
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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