2ED2106S06FXUMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2ED2106S06FXUMA1 제조: Infineon 및 2ED2108S06FXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 2ED2106S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.78 $0.30
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
출력 수 2 (1 high-side, 1 low-side) 2 (high-side + low-side)
Number of Drivers 2 1
핀 수 8 —
패키지 PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
동작 온도 범위 -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
출력 유형 Half-Bridge, Non-Inverting —
Driver Configuration — Half-Bridge
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB)
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]
동작 온도 — -40 C to +125 C
MSL 레벨 — 1
RoHS 상태 — Compliant

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