2ED2106S06FXUMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 2ED2106S06FXUMA1 от Infineon и 2ED2108S06FXUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ Активен
Infineon
2ED2108S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2108S06FXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2108S06FXUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 2ED2106S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,78 $0,30
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Количество выходов 2 (1 high-side, 1 low-side) 2 (high-side + low-side)
Number of Drivers 2 1
Количество выводов 8 —
Корпус PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Диапазон рабочих температур -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Тип выхода Half-Bridge, Non-Inverting —
Driver Configuration — Half-Bridge
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB)
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]
Рабочая температура — -40 C to +125 C
Уровень MSL — 1
Статус RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену