2ED2106S06FXUMA1 vs IRS21834STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2ED2106S06FXUMA1 von Infineon und IRS21834STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2ED2106S06FXUMA1 IRS21834STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $1,45
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Half-Bridge
Source Current (typ.) 0.29 A 1.9 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 2.3 A
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns 200 ns
Anzahl der Ausgänge 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
Anzahl der Pins 8 —
Gehäuse PG-DSO-8-69 (DSO-8) 14-SOIC (SOIC-14)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C -40C to +125C
Packaging Tape & Reel —
Ausgangstyp Half-Bridge, Non-Inverting —
Input Logic — Inverting, Non-Inverting with Shutdown
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Delay Matching (max) — ±50 ns
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) — Yes
Negative Transient Voltage Tolerance — dV/dt immune
MSL-Level — 1 (unlimited)
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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