2ED2106S06FXUMA1 vs IRS21834STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2ED2106S06FXUMA1 por Infineon y IRS21834STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2ED2106S06FXUMA1 IRS21834STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $1,45
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Half-Bridge
Source Current (typ.) 0.29 A 1.9 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 2.3 A
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns 200 ns
Número de salidas 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
Número de pines 8 —
Encapsulado PG-DSO-8-69 (DSO-8) 14-SOIC (SOIC-14)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40C to +125C
Packaging Tape & Reel —
Tipo de salida Half-Bridge, Non-Inverting —
Input Logic — Inverting, Non-Inverting with Shutdown
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Delay Matching (max) — ±50 ns
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) — Yes
Negative Transient Voltage Tolerance — dV/dt immune
Nivel MSL — 1 (unlimited)
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Hojas de datos y recursos

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