2ED2106S06FXUMA1 vs IRS21834STRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2ED2106S06FXUMA1 por Infineon e IRS21834STRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2ED2106S06FXUMA1 IRS21834STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $1,45
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Half-Bridge
Source Current (typ.) 0.29 A 1.9 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 2.3 A
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns 200 ns
Número de saídas 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
Número de pinos 8 —
Encapsulamento PG-DSO-8-69 (DSO-8) 14-SOIC (SOIC-14)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C -40C to +125C
Packaging Tape & Reel —
Tipo de saída Half-Bridge, Non-Inverting —
Input Logic — Inverting, Non-Inverting with Shutdown
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Delay Matching (max) — ±50 ns
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) — Yes
Negative Transient Voltage Tolerance — dV/dt immune
Nível MSL — 1 (unlimited)
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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